在半導(dǎo)體行業(yè)中流傳著“得光刻機(jī)者得天下”的說法，但很少有人知道，光刻機(jī)家族分為前道與后道兩大分支。后道光刻機(jī)用于芯片封測(cè)環(huán)節(jié)，技術(shù)門檻相對(duì)較低，全球有數(shù)十家企業(yè)能生產(chǎn)。

而決定芯片核心制程的前道光刻機(jī)，全球僅4家廠商掌握技術(shù)，且實(shí)力差距堪稱“天塹”，這也讓它成為芯片產(chǎn)業(yè)最致命的“卡脖子”環(huán)節(jié)。前道光刻機(jī)的技術(shù)壁壘，藏在納米級(jí)的精度博弈中，它相當(dāng)于在晶圓上“雕刻”電路的“超級(jí)刻刀”，光源波長(zhǎng)越短、精度越高，能造出的芯片就越先進(jìn)。

目前全球前道光刻機(jī)市場(chǎng)由荷蘭ASML、日本尼康、佳能和中國(guó)上海微電子（SMEE）四分天下，但技術(shù)代差極為懸殊。

成立于1984年的ASML，憑借對(duì)浸潤(rùn)式技術(shù)的精準(zhǔn)押注，從飛利浦的子部門逆襲成為行業(yè)霸主，如今是全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的企業(yè)。

這種設(shè)備采用13.5nm極紫外光光源，可實(shí)現(xiàn)3nm及以下先進(jìn)制程，全球高端芯片產(chǎn)能100%依賴它。2024年，ASML共交付60臺(tái)EUV光刻機(jī)，每臺(tái)凈賺超8000萬美元，壟斷了全球超90%的高端光刻機(jī)市場(chǎng)。

而曾是行業(yè)巨頭的尼康與佳能，如今已淪為“追趕者”，百年企業(yè)尼康在20世紀(jì)90年代曾是光刻機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，其193nm DUV光刻機(jī)技術(shù)一度領(lǐng)先ASML，但因錯(cuò)失浸潤(rùn)式DUV技術(shù)窗口，逐漸被反超。

如今尼康雖能生產(chǎn)浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，卻需依賴與ASML的技術(shù)合作，市場(chǎng)份額不足5%，更無力涉足EUV領(lǐng)域。

而成立于1937年的佳能境遇更糟，至今未能突破浸潤(rùn)式DUV技術(shù)，只能生產(chǎn)普通DUV設(shè)備，在先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)中徹底邊緣化。

這兩家日本廠商的衰落證明，光刻機(jī)行業(yè)的技術(shù)迭代容不得半步遲疑，一次戰(zhàn)略失誤就可能徹底出局。

至于中國(guó)上海微電子，則是后起之秀的成長(zhǎng)樣本，這家2002年成立的企業(yè)，比ASML晚了近20年起步，目前已實(shí)現(xiàn)90nm制程DUV光刻機(jī)的穩(wěn)定量產(chǎn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

2025年更是迎來關(guān)鍵突破，其研發(fā)的SSA600/20型28nm沉浸式DUV光刻機(jī)完成中芯國(guó)際等企業(yè)的驗(yàn)證測(cè)試，良品率提升至90%，達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

這款設(shè)備通過高折射率液體與多重曝光工藝結(jié)合，可穩(wěn)定生產(chǎn)28nm芯片，而這一制程能滿足全球80%的芯片需求，涵蓋汽車芯片、MCU等剛需領(lǐng)域。

不過客觀來看，上海微電子尚未掌握EUV技術(shù)，與ASML的差距仍有兩代以上，相當(dāng)于在“短跑賽道”上剛完成起步，對(duì)手已沖過終點(diǎn)線，這種技術(shù)差距背后，是產(chǎn)業(yè)鏈的全面比拼。

要知道，一臺(tái)EUV光刻機(jī)包含10萬多個(gè)零部件，需要全球5000多家供應(yīng)商協(xié)同供應(yīng)，其中德國(guó)的蔡司鏡頭、美國(guó)的光源系統(tǒng)都是不可替代的核心部件。

ASML的成功本質(zhì)是整合了全球頂尖技術(shù)資源，而上海微電子面臨的不僅是技術(shù)攻關(guān)，還有外部供應(yīng)鏈的限制。

不過國(guó)產(chǎn)替代的速度正在加快，28nm沉浸式DUV光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化，使設(shè)備價(jià)格僅為ASML同類型產(chǎn)品的1/3，交貨周期從1年縮短至3個(gè)月，預(yù)計(jì)2026年規(guī)?；慨a(chǎn)后，可將國(guó)內(nèi)28nm制程設(shè)備進(jìn)口依賴度下降40%。

在這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽中，“彎道超車”不如“穩(wěn)步前行”。ASML從成立到壟斷市場(chǎng)用了40年，上海微電子僅用23年就實(shí)現(xiàn)了從0到90nm量產(chǎn)、28nm突破的跨越，成長(zhǎng)速度已足夠驚人。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)在電子束光刻、多重曝光等替代技術(shù)上進(jìn)行探索，打開了新的突破路徑。另外光刻機(jī)行業(yè)從來不是“一蹴而就”的游戲，當(dāng)年LCD產(chǎn)業(yè)從落后到反超的故事，或許正在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域重現(xiàn)。

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，前道光刻機(jī)的突破不僅是技術(shù)問題，更是產(chǎn)業(yè)鏈自主化的試金石。

ASML的壟斷警示我們，核心技術(shù)買不來、討不來，而上海微電子的進(jìn)展則證明，只要堅(jiān)持技術(shù)攻關(guān)、構(gòu)建協(xié)同生態(tài)，就能逐步縮小差距。

未來，當(dāng)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)不僅能滿足成熟制程需求，更能叩開先進(jìn)制程的大門時(shí)，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)才能真正擺脫“卡脖子”的焦慮，在全球半導(dǎo)體格局中掌握主動(dòng)權(quán)。