近日，國(guó)產(chǎn)光刻領(lǐng)域好消息不斷。

10月27日消息，我國(guó)首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)——《極紫外（EUV）光刻膠測(cè)試方法》作為擬立項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，10月23日開(kāi)始公示，截止時(shí)間為11月22日。

據(jù)悉，該標(biāo)準(zhǔn)其制定不僅能夠填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)空白，更將通過(guò)建立統(tǒng)一的測(cè)試方法體系，為國(guó)內(nèi)外EUV光刻膠的性能評(píng)價(jià)提供客觀標(biāo)尺。

另外在技術(shù)突破層面，本月早些時(shí)候，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院團(tuán)隊(duì)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，分辨率優(yōu)于5納米。

這一發(fā)現(xiàn)指導(dǎo)開(kāi)發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案，有效清除了12英寸晶圓圖案表面的光刻膠殘留，為提升光刻精度與良率開(kāi)辟新路徑。

光刻膠及相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。

光刻膠是光刻環(huán)節(jié)的重要耗材，成本占芯片制造的30%，是IC制造中耗時(shí)最大、難度最高的工藝。

在實(shí)現(xiàn)更小尺寸的情況下，光刻技術(shù)對(duì)光刻膠的綜合性能和隨機(jī)缺陷抑制要求也隨之越來(lái)越嚴(yán)格。

長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)化率都處于較低水平。

尤其是EUV光刻領(lǐng)域，EUV光刻膠是用于極紫外光刻技術(shù)（EUV）的關(guān)鍵材料，其工作波長(zhǎng)為13.5nm，主要用于7nm及以下集成電路制程，直接影響先進(jìn)芯片的精度與性能。

但是，當(dāng)前EUV光刻膠完全被國(guó)外先進(jìn)半導(dǎo)體材料公司所壟斷，包括JSR（日本合成橡膠公司）、東京應(yīng)化等占據(jù)超過(guò)95%全球市場(chǎng)份額，國(guó)產(chǎn)化率基本為零，國(guó)內(nèi)的研發(fā)也仍處于起步階段，亟需突破材料自主化與標(biāo)準(zhǔn)化壁壘。

這也導(dǎo)致國(guó)內(nèi)在EUV光刻膠測(cè)試領(lǐng)域長(zhǎng)期未有統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范，現(xiàn)有測(cè)試方法多沿用國(guó)外企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)重制約了我國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展。

據(jù)悉，此次的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)，由上海的高校、研究實(shí)驗(yàn)室以及制造和裝備端共同發(fā)起。

包括上海大學(xué)、張江國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

上海華力集成電路制造有限公司，隸屬于華虹集團(tuán)，是中國(guó)大陸第二大晶圓代工巨頭，全球第六大的晶圓代工廠，可以說(shuō)撐起了中國(guó)半導(dǎo)體成熟制程“半邊天”，在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化進(jìn)程中扮演著舉足輕重的角色。

上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：SMEE），公司專(zhuān)注于研發(fā)、制造和銷(xiāo)售半導(dǎo)體微影設(shè)備，產(chǎn)品包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等，是國(guó)內(nèi)唯一具備多領(lǐng)域高端光刻機(jī)制造能力的供應(yīng)商，公司已覆蓋90nm至28nm浸沒(méi)式光刻機(jī)。

該標(biāo)準(zhǔn)的制定，不僅為我國(guó)EUV光刻膠關(guān)鍵核心技術(shù)的突破提供標(biāo)準(zhǔn)化支撐，同時(shí)也有助于提升我國(guó)在全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的話語(yǔ)權(quán)和競(jìng)爭(zhēng)力。

再?gòu)募夹g(shù)突破來(lái)看，光刻領(lǐng)域長(zhǎng)期存在一個(gè)難題——即光刻膠在顯影液中的微觀行為，該行為直接影響光刻圖案的精確度與缺陷率。

高校光刻材料研究接連取得成果

近日，北京大學(xué)發(fā)布一則好消息，該校彭海琳教授、高毅勤教授、鄭黎明博士與清華大學(xué)王宏偉教授、香港大學(xué)劉楠博士等，率先將冷凍電鏡斷層掃描（cryo-ET）技術(shù)引入到半導(dǎo)體領(lǐng)域，設(shè)計(jì)了一套與光刻流程緊密結(jié)合的樣品制備方法。

首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開(kāi)發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案，并實(shí)現(xiàn)分辨率優(yōu)于5 納米。

據(jù)悉，基于此開(kāi)發(fā)出兼容現(xiàn)有產(chǎn)線的解決方案，可有效清除12英寸晶圓圖形表面的光刻膠殘留。

并且該研究應(yīng)用潛力還遠(yuǎn)不限于芯片與光刻領(lǐng)域。對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，將推動(dòng)先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。

目前，該研究工作以“冷凍電鏡斷層成像重構(gòu)液態(tài)薄膜中的聚合物以實(shí)現(xiàn)兼容晶圓廠的光刻工藝”（Cryo-electron tomography reconstructs polymer in liquid film for fab-compatible lithography）為題，發(fā)表在《自然-通訊》上。

更早些時(shí)候，7月23日，清華新聞網(wǎng)消息，清華大學(xué)化學(xué)系許華平教授團(tuán)隊(duì)在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進(jìn)展，開(kāi)發(fā)出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻膠，也為我國(guó)在先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計(jì)策略。

銀河證券認(rèn)為，光刻膠作為半導(dǎo)體、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎(chǔ)材料，其技術(shù)進(jìn)步可以促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游材料供應(yīng)商、設(shè)備制造商，中游光刻膠生產(chǎn)企業(yè)，以及下游光刻膠產(chǎn)品應(yīng)用企業(yè)都能從中受益。