三星由于其第九代V9 QLC NAND閃存技術(shù)出現(xiàn)設(shè)計(jì)和性能問題，決定推遲該產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)，預(yù)計(jì)要到2026年上半年才會(huì)開始。

三星V9 NAND采用280層設(shè)計(jì)，原先先推出了1TB的TLC版（三級(jí)單元），在2024年4月量產(chǎn)，隨后于去年9月初步轉(zhuǎn)向更復(fù)雜的QLC版（四級(jí)單元）。但業(yè)內(nèi)消息稱，首批V9 QLC芯片暴露出根本性設(shè)計(jì)缺陷，導(dǎo)致性能受限。

目前，三星在NAND市場總體上仍保持領(lǐng)先，但在QLC技術(shù)上落后于主要競爭對(duì)手，其最新高端QLC產(chǎn)品還停留在上一代V7，甚至沒有發(fā)布V8的QLC版。

同期，日本的Kioxia推出了332層V10級(jí)NAND，SK hynix也取得突破，已開始量產(chǎn)321層2TB QLC NAND。

三星雖在今年2月展示了具備400+層、1TB容量的V10級(jí)TLC NAND，但暫未公布量產(chǎn)時(shí)間表。