9 月 29 日消息，三星電子副總裁 Kevin Yoon 在上周舉行的 GMIF 2025 創(chuàng)新峰會(huì)上表示，該企業(yè)包括新一代 CXL 內(nèi)存模塊、超大容量固態(tài)硬盤在內(nèi)的一系列 AI 存儲(chǔ)產(chǎn)品將陸續(xù)登場。

Kevin Yoon 表示三星半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn) CXL 2.0 CMM 內(nèi)存模塊的量產(chǎn)，而下一代的 CXL 3.1 / PCIe 6.0 CMM-D 解決方案計(jì)劃在 2026 年推出。

而在 NAND 閃存領(lǐng)域，這位副總確認(rèn)即將于 2026 年初推出的 PCIe 6.0 固態(tài)硬盤 PM1763 可在 25W 功耗下實(shí)現(xiàn)性能翻倍、能效提升 60%；對于超大容量領(lǐng)域，三星將在明后兩年帶來 256TB 級(jí) (PCIe 5.0) 和 512TB 級(jí) (PCIe 6.0) 的 EDSFF 1T 外形規(guī)格型號(hào)。

至于介乎傳統(tǒng) DRAM 和 NAND 之間的內(nèi)存級(jí)存儲(chǔ)品類，Kevin Yoon 表示三星電子正在研發(fā)第七代 Z-NAND 技術(shù)，面向 GIDS（GPU 主動(dòng)直接存儲(chǔ)）應(yīng)用場景，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的吞吐量表現(xiàn)。

【來源：IT之家】